| CeF3掺杂增强纳米晶Si光致发光强度的研究 |
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| 引用本文： | 方应翠 解志强 赵有源,章壮健 陆明.CeF3掺杂增强纳米晶Si光致发光强度的研究[J].真空科学与技术学报,2005,25(5):335-338. |
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| 作者姓名： | 方应翠 解志强 赵有源 章壮健 陆明 |
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| 作者单位： | 方应翠（合肥工业大学,机械与汽车工程学院真空教研室,合肥,230009;复旦大学材料系,上海,200433）;解志强（复旦大学光科学与工程系,上海,200433）;赵有源（复旦大学光科学与工程系,上海,200433）;章壮健（复旦大学材料系,上海,200433）;陆明（复旦大学光科学与工程系,上海,200433） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.10374016),复旦大学研究生创新基金 |
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| 摘 要： | 真空蒸发SiO粉末,在Si(100)基体上制备SiOx薄膜,后续氮气中1100
℃退火制备镶嵌在SiO2基体中的纳米晶Si体系(nc-Si/SiO2),然后将该样品放入真空室,在其上沉积CeF3薄膜,不同温度下热处理使Ce3+扩散到nc-Si附近,实现对纳米晶Si的掺杂.通过改变CeF3薄膜厚度调节掺杂浓度,在一定的掺杂浓度下纳米晶Si的光致发光强度明显改善,激发光谱证实荧光增强机制是Ce3+通过强耦合过程对纳米晶Si的能量传递.
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| 关 键 词： | nc-Si/SiO2 光致发光 CeF3掺杂 能量传递 |
| 文章编号： | 1672-7126(2005)05-0335-04 |
| 修稿时间： | 2004年12月1日 |
Photoluminescence
Enhancement of Si Nanocrystals by CeF3 Doping |
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| Fang Yingcui.Photoluminescence
Enhancement of Si Nanocrystals by CeF3 Doping[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2005,25(5):335-338. |
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| Authors: | Fang Yingcui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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