| CFCC-SiC基底NiCr/NiSi薄膜热电偶制备及性能研究 |
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| 引用本文： | 马旭轮,苑伟政,马炳和,邓进军.CFCC-SiC基底NiCr/NiSi薄膜热电偶制备及性能研究[J].传感技术学报,2014,27(3):304-307. |
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| 作者姓名： | 马旭轮 苑伟政 马炳和 邓进军 |
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| 作者单位： | 西北工业大学;空天微纳系统教育部重点实验室; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金青年科学基金项目(51105317) |
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| 摘 要： | 在碳纤维增韧补强碳化硅陶瓷复合材料(CFCC-SiC)表面制备了NiCr/NiSi薄膜热电偶。传感器结构自下而上依次为CFCC-SiC陶瓷基底、SiO2过渡层,Al2O3绝缘层及NiCr/NiSi热电偶层。对所制备传感器进行了静态标定,其在300℃~700℃范围内具有稳定的热电动势输出,平均Seebeck系数为41.71μV/℃,传感器极限使用温度约为750℃。
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| 关 键 词： | 薄膜热电偶 陶瓷复合材料 静态标定 塞贝克系数 极限使用温度 |
Fabrication and Characteration of NiCr-NiSi Thin Film Thermocouples on CFCC-SiC Substrate |
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