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| 9μmp~＋－Ge_xSi_（1－x）／p－Si异质结内光电红外探测器 | |
| 引用本文： | 龚大卫,卢学坤,卫星,杨小平,胡际璜,盛篪,张翔九,王迅,周涛,叶红娟,沈学础.9μmp~＋－Ge_xSi_（1－x）／p－Si异质结内光电红外探测器[J].红外与毫米波学报,1994,13(2). |
| 作者姓名： | 龚大卫 卢学坤 卫星 杨小平 胡际璜 盛篪 张翔九 王迅 周涛 叶红娟 沈学础 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室，中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 |
| 摘 要： | 用分子束外延方法生长了ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ． |
| 关 键 词： | 异质结，锗硅合金，红外探测器 |
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