| β-CaSiO3晶体的电子结构及光学性质 |
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| 作者姓名： | 何茗 张树人 周晓华 李波 张婷 |
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| 作者单位： | 何茗,HE Ming(电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;成都电子机械高等专科学校电气与电子工程系,成都,610031);张树人,周晓华,李波,ZHANG Shuren,ZHOU Xiaohua,LI Bo(电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054);张婷,ZHANG Ting(成都医学院人文信息管理学院,成都,610081) |
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| 摘 要： | 基于第一性原理的平面波赝势方法(PWP)的局域密度近似(LDA)/广义梯度近似(GGA)计算了β-Ca-SiO3的几何结构、能带结构、态密度和光学性质。其晶胞参数优化结果与实验相比,LDA/GGA的相对误差为-3.62%/1.91%。对优化后的β-CaSiO3晶体进行能带结构分析表明,β-CaSiO3晶体为间接带隙结构,禁带宽度Eg(LDA)=5.53eV,Eg(GGA)=5.18eV。对态密度图及Mulliken电荷分布的分析表明,Ca的d轨道有电子分布,即Ca的s、p、d轨道均参与了成键。β-CaSiO3晶体中Ca与SiO3基团之间形成的化学键主要是离子键,而Si与O之间的化学键是共价键。
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| 关 键 词： | β-CaSiO3 能带结构 电荷分布 价键 |
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