典型电子器件中子和总剂量辐照协同损伤研究

研究了几种典型电源类电子器件的中子和总剂量辐射效应，包括单总剂量效应、单中子辐射效应、总剂量和中子分时序贯辐照效应以及中子和总剂量同时辐照效应，分析了不同辐照条件下电子器件的失效中子注量(总剂量)阈值。试验结果显示，分时序贯、同时辐照试验给出的电子器件辐照失效阈值低，而单项辐射效应试验给出的失效阈值偏高。对于该类双极工艺器件存在协同增强损伤的机理进行了分析，其主要原因在于同时辐照时，电离损伤在晶体管氧化层产生氧化物正电荷，使基区表面势增加，与此同时界面态数量增多，减少Si体内次表面载流子浓度的差异，从而使电流增益的退化加剧，增强晶体管的中子位移损伤。按照同时辐照进行试验考核，更能真实评估器件的综合抗辐射性能，研究结果对于器件抗辐射性能评估具有重要意义。