| 掺Sn的In2O3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 陈瑶,周玉琴,张群芳,朱美芳,刘丰珍,刘金龙,陈诺夫.掺Sn的In2O3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响[J].半导体学报,2007,28(6):883-886. |
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| 作者姓名： | 陈瑶 周玉琴 张群芳 朱美芳 刘丰珍 刘金龙 陈诺夫 |
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| 作者单位： | 中国科学院研究生院 物理科学学院，北京 100049;中国科学院研究生院 物理科学学院，北京 100049;中国科学院研究生院 物理科学学院，北京 100049;中国科学院研究生院 物理科学学院，北京 100049;中国科学院研究生院 物理科学学院，北京 100049;中国科学院研究生院 物理科学学院，北京 100049;中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用反应热蒸发法制备掺Sn的In2O3(ITO)透明导电膜,系统研究了ITO薄膜生长的优先取向对其光电性能的影响.结果表明,ITO薄膜(400)取向的优先生长对其透过率影响很小,但可明显增加载流子迁移率,从而有效降低了薄膜的方块电阻.在两个相同的薄膜硅/单晶硅太阳能电池上分别沉积(222)和(400)ITO优先取向膜,光电转换效率分别为10.3%和12.9%,表明(400)取向更有利于提高电池效率.经优化,最佳衬底温度(Ts)为225℃,最佳氧流量(fO2)为4sccm.在优化的沉积条件下制备ITO薄膜,其电阻率可达到4.8×10-4Ω·cm,可见波段的透过率大于90%,性能指数为3.8×10-2□/Ω.
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| 关 键 词： | ITO薄膜 反应热蒸发 优先取向 性能指数 透明导电膜 长优 取向膜 光电性能 影响 Thin Film Properties Orientation 性能指数 波段 电阻率 沉积条件 氧流量 衬底温度 最佳 优化 电池效率 转换效率 单晶硅太阳能电池 薄膜硅 |
Effect of Growth-Preferred Orientation on the Photoelectric Properties of ITO Thin Film |
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| Chen Yao,Zhou Yuqin,Zhang Qunfang,Zhu Meifang,Liu Fengzhen,Liu Jinlong and Chen Nuofu.Effect of Growth-Preferred Orientation on the Photoelectric Properties of ITO Thin Film[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(6):883-886. |
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| Authors: | Chen Yao Zhou Yuqin Zhang Qunfang Zhu Meifang Liu Fengzhen Liu Jinlong and Chen Nuofu |
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| Affiliation: | College of Physical Sciences,Graduate University of the Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China;College of Physical Sciences,Graduate University of the Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China;College of Physical Sciences,Graduate University of the Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China;College of Physical Sciences,Graduate University of the Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China;College of Physical Sciences,Graduate University of the Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China;College of Physical Sciences,Graduate University of the Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ITO film reactive thermal evaporation preferred orientation figure of merit |
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