栅结漏电流对GaAsMMIC中平面肖特基二极管C—V特性的影响 |
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引用本文: | 田彤,林金庭.栅结漏电流对GaAsMMIC中平面肖特基二极管C—V特性的影响[J].微电子学,1998,28(2):103-106. |
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作者姓名: | 田彤 林金庭 |
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作者单位: | 西安交通大学微电子学研究所,电子工业部第五十五研究所 |
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摘 要: | 构造了考虑栅结漏电流影响的平面肖特基二极管电容计算模型,并用此模型对同一结构不同漏电流的肖特基二极管作了计算分析,计算结果显示,所构造模型与实验结果符合得很好,同时揭示出栅结漏电流对C-V特性克有影响。这种影响表现为,在一定的栅压范围内,随着栅结电流的增大,C-V曲线明显上抬,文中还与其它未考虑栅结漏电流影响的模型作了对比。
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关 键 词: | 砷化镓 微波集成电路 肖特基二极管 MMIC |
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