采用100W功率溅射制备IWO薄膜特性研究

本实验用玻璃片作为基片,用纯度为99.99%的In2O3:W靶,其中In2O3:W质量比为98:2。调整系统背景真空度到1.7×10-3Pa,使用纯度为99.999%的高纯Ar气做工作气体用来起辉,工作气压为0.7Pa。采用100W功率,改变溅射时间制备IWO薄膜,以便得到溅射时间与薄膜光学电学特性变化之间的规律。