InP/InGaAs隐埋结构雪崩光电二极管 |
| |
引用本文: | K.YASUDA
,何兴仁.InP/InGaAs隐埋结构雪崩光电二极管[J].半导体光电,1985(1). |
| |
作者姓名: | K.YASUDA 何兴仁 |
| |
摘 要: | 设计并制作出一种有新型保护结构的平面InP/InGaAs雪崩光电二极管。该器件在P-n结下面有一被隐埋的n-InP层和n~--InP倍增区,这样便获得了良好的保护作用。器件的整个有源区均呈现均匀倍增,最大倍增因子为30,在击穿电压的90%处获得了大约20nA的低暗电流,平坦的频率响应高达1GHz。在倍增因子达到17时测试了倍增噪声。
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|