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基于开关瞬态过程分析的大容量变换器杂散参数抽取方法
引用本文:陈材,裴雪军,陈宇,汪洪亮,康勇.基于开关瞬态过程分析的大容量变换器杂散参数抽取方法[J].中国电机工程学报,2011,31(21).
作者姓名:陈材  裴雪军  陈宇  汪洪亮  康勇
作者单位:华中科技大学应用电子工程系,湖北省武汉市,430074
基金项目:国家自然科学基金项目(50737004); 台达电力电子科教发展计划重点项目(DREK2010002)~~
摘    要:由于线路杂散电感存储能量的释放,绝缘门极双极性晶体管(insulatedgatebipolartransistor,IGBT)在开通和关断的瞬态过程中,其两端将产生电压尖峰。为了对该电压尖峰进行定量研究,需要对IGBT开关过程进行分析,抽取线路的杂散电感参数。传统抽取方法通常利用IGBT关断电压的最大幅值以及近似的电流斜率作为计算参数,其计算结果并不精确。为得到更精确的结果,提出一种新的参数抽取方法,通过将IGBT开通、关断的非线性过程分解为多个线性阶段,并充分考虑反并联二极管前向恢复和反向恢复的影响,在此基础上得到电压过冲△Uot。和相对应的di/dt,进而得到准确的杂散参数抽取过程。最后,将该分析方法在一台75kVA的单相逆变器进行实验验证,利用不同工况下的开通和关断过程进行线路杂散电感抽取,均得到一致的结果,从而证明了本方法的有效性与正确性。

关 键 词:电压尖峰  杂散电感  反并联二极管  开通  关断

A Stray Parameter Extraction Method for High Power Converters Based on Turn-on/off Transient Analysis
CHEN Cai,PEI Xuejun,CHEN Yu,Wang Hongliang,KANG Yong.A Stray Parameter Extraction Method for High Power Converters Based on Turn-on/off Transient Analysis[J].Proceedings of the CSEE,2011,31(21).
Authors:CHEN Cai  PEI Xuejun  CHEN Yu  Wang Hongliang  KANG Yong
Affiliation:CHEN Cai,PEI Xuejun,CHEN Yu,Wang Hongliang,KANG Yong(Department of Power Electronic Technology,Huazhong University of Science & Technology,Wuhan 430074,Hubei Provice,China)
Abstract:When an insulated gate bipolar transistor(IGBT) is abruptly turned off or turned on,trapped energy in the circuit stray inductance is dissipated in the switching device,causing a voltage overshoot across the switching device.In order to quantitative analyze this voltage overshoot,the circuit stray inductance extraction is necessary.Against the traditional inaccurate extraction method,which chooses the maximum voltage point and an approximated current slope as the calculation parameters,this paper proposed a...
Keywords:voltage overshoot  stray inductance anti-parallel diode  turn-on  turn-off  
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