超大规模集成电路中任意形状掩模边缘附近的离子分布 |
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引用本文: | A.G.K.Lutsch
,D.R.Dosthuizen
,范才有.超大规模集成电路中任意形状掩模边缘附近的离子分布[J].微电子学,1987(2). |
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作者姓名: | A.G.K.Lutsch D.R.Dosthuizen 范才有 |
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摘 要: | 离子注入过程中,注入离子在掩模边缘附近的分布决定MOS晶体管漏极区域处的电场强度,计算了70keV硼离子注入硅样品中不同掩模边缘离子密度等线,考虑了四阶矩下的杂质深度分布(无掩模情况)。合理选择掩模蚀刻工艺,可获得均匀性,高抗噪声度的器件中。同时也指出了太薄掩模材料对注入离子分布的影响。
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