W-Mo复合离子掺杂VO2薄膜热滞回线的热调制现象 |
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引用本文: | 张阳,黄婉霞,施奇武,宋林伟,徐元杰.W-Mo复合离子掺杂VO2薄膜热滞回线的热调制现象[J].无机材料学报,2013(5):497-501. |
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作者姓名: | 张阳 黄婉霞 施奇武 宋林伟 徐元杰 |
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作者单位: | 四川大学材料科学与工程学院 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(61271075)~~ |
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摘 要: | 以单晶Si(100)为基底,采用无机溶胶–凝胶法在其表面制备W-Mo复合离子掺杂VO2薄膜。采用SEM、XRD等手段分析了薄膜的表面形貌和晶体结构。在热驱动下,利用原位FTIR分析了W-Mo复合离子掺杂VO2薄膜半导体–金属相变性能。结果显示:单晶Si(100)表面VO2薄膜具有(011)择优生长取向,W6+、Mo6+取代了V4+在晶格中的位置,实现置换掺杂。热滞回线分析表明,与未掺杂VO2薄膜相比,V1-x-yMoxWyO2薄膜相变温度降低,滞后温宽减小,同时相变陡然性变差,相变温宽增大;在相变温度区间内,温度路径对红外透过率具有调制效果,其调制作用受原始热滞回线的制约。
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关 键 词: | 二氧化钒薄膜 红外光学性能 W-Mo复合掺杂 热调制 |
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