| 一种S波段E类GaN HEMT功率放大器设计 |
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| 引用本文： | 王德勇,张盼盼,张金灿,刘敏,刘博,孙立功.一种S波段E类GaN HEMT功率放大器设计[J].微电子学,2022,52(1):28-32, 37. |
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| 作者姓名： | 王德勇 张盼盼 张金灿 刘敏 刘博 孙立功 |
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| 作者单位： | 河南科技大学 电气工程学院, 河南 洛阳 471023 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61804046,61704049)；河南省科技攻关项目(222102210172,222102210207) |
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| 摘 要： | 并联电路E类功率放大器(PA)具有结构简单和高效的优点,因而被广泛应用。针对并联电路E类PA存在带宽较窄、效率较低的问题,对其输出匹配网络提出了一种改进方案。采用混合式π型结构作为PA的输出匹配网络,在较宽的工作带宽内完成了最佳阻抗与标准阻抗的转换,有效地抑制了二次谐波分量,提高了电路的效率。为了验证所提出理论的有效性,基于0.25 μm GaN HEMT工艺设计了一种结构简单、高效率和高功率的单片集成E类功率放大器。版图后仿真结果表明,在2.5～3.7 GHz工作频率范围内,输出功率大于40 dBm,功率附加效率为51.8%～63.1%。版图尺寸为2.4 mm×2.9 mm。
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| 关 键 词： | 宽带匹配网络 E类 高效率 功率放大器 |
| 收稿时间： | 2021/5/18 0:00:00 |
Design of a S-Band Class-E GaN HEMT Power Amplifier |
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| WANG Deyong,ZHANG Panpan,ZHANG Jincan,LIU Min,LIU Bo,SUN Ligong.Design of a S-Band Class-E GaN HEMT Power Amplifier[J].Microelectronics,2022,52(1):28-32, 37. |
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| Authors: | WANG Deyong ZHANG Panpan ZHANG Jincan LIU Min LIU Bo SUN Ligong |
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| Affiliation: | School of Electrical Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang, Henan 471023, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | broadband matching network class-E high efficiency power amplifier |
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