首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

Insb 液相外延层内的两类层错
引用本文:俞振中,马可军,金刚.Insb 液相外延层内的两类层错[J].半导体学报,1983(4).
作者姓名:俞振中  马可军  金刚
作者单位:中国科学院上海技术物理研究所 (俞振中,马可军),中国科学院上海技术物理研究所(金刚)
摘    要:实验表明,IuSb液相外延层内存在着两类层错,即哑铃状层错与杆状层错.对两类层错的形态,结构与相互之间的作用进行了观察.分析表明,哑铃状层错为本征型层错,四周围以Shockley不全位错,而杆状层错很可能为非本征型层错.最后对层错的形成机制进行了讨论.

本文献已被 CNKI 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号