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| In Sb MOS电容器高频C-V特性的测量及其界面态密度的推算 | |
| 引用本文： | 谢伯兴,林猷慎,唐家钿.In Sb MOS电容器高频C-V特性的测量及其界面态密度的推算[J].红外与毫米波学报,1985,4(5). |
| 作者姓名： | 谢伯兴 林猷慎 唐家钿 |
| 作者单位： | 昆明物理研究所 (谢伯兴，林猷慎)，昆明物理研究所(唐家钿) |
| 摘 要： | 本实验首先测量了N型、(111)面、掺Te2×10~(15)cm~(-3)InSb晶片的机械损伤层,然后用阳极氧化等方法将其做成MOS结构,测量和分析其高频C-V特性,并采用中心偏压加窄摆幅电压的来回慢扫测得无滞回效应的C-V曲线。最后,用Nakagawa式算出界面态密度为2×10~(12)cm~(-2)eV~(-1)。 |
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