基于Ge衬底的高带隙AlGaInP太阳电池研究 |
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引用本文: | 姜德鹏,黄珊珊,马涤非,彭娜,张小宾.基于Ge衬底的高带隙AlGaInP太阳电池研究[J].太阳能学报,2019,40(9):2616-2621. |
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作者姓名: | 姜德鹏 黄珊珊 马涤非 彭娜 张小宾 |
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作者单位: | 上海空间电源研究所;中山德华芯片技术有限公司 |
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摘 要: | 以高带隙的AlGaInP材料为研究对象,基于AlGaInP/Ge双结电池结构,通过改变AlGaInP子电池的Al组分、基区厚度、窗口层厚度等参数来改善电池的电性能。研究结果表明:随着Al组分从10%降至6%,AlGaInP子电池的材料带隙从2.05 eV降至2.00 eV,外量子效率(EQE)响应的范围及强度均有明显提高,在AM1.5G光谱条件下电池效率从10.01%升至14.86%,并发现通过基区加厚可提高中长波段的EQE响应,而通过窗口层减薄则有利于提高短波EQE响应,最终双结电池在AM1.5G光谱条件下效率达到17.16%。
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