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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
具有MIS结构的n—AlGaAs/InGaAs/n—GaAs双调制掺杂赝HEMT
引用本文:
相奇,曾庆明.具有MIS结构的n—AlGaAs/InGaAs/n—GaAs双调制掺杂赝HEMT[J].半导体学报,1992,13(2):109-115,T001.
作者姓名:
相奇
曾庆明
作者单位:
西安交通大学微电子研究室,西安交通大学微电子研究室,机械电子部第十三研究所,中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所 西安710049,西安710049,河北 石家庄050051,北京100080,北京100080
摘 要:
关 键 词:
调制掺杂
HEMT
MIS结构
MIS-DHEMT
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