| 高探测率的GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器 |
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| 引用本文： | 钟战天,周小川,杜全钢,李承芳,周鼎新,王森,吴荣汉,於美云,徐俊英,蒋健.高探测率的GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器[J].半导体学报,1992,13(8):515-517. |
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| 作者姓名： | 钟战天 周小川 杜全钢 李承芳 周鼎新 王森 吴荣汉 於美云 徐俊英 蒋健 |
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| 作者单位： | 中国科学院表面物理国家实验室，中国科学院表面物理国家实验室，中国科学院表面物理国家实验室，中国科学院半导体研究所，航空航天部上海803所，中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所，航空航天部上海803所，中国科学院半导体研究所，中国科学院表面物理国家实验室 北京100080 中国科学院半导体研究所，北京100083，北京100080 中国科学院物理研究所，北京100080，北京100080 中国科学院物理研究所，北京100080，北京100083，200233，北京100083，北京100083，200233，北京100083，北京100080 中国科学院物理研究所，北京100080 |
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| 摘 要： | 探测器采用50周期GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱结构的分子束外延材料,并制成直径为320μm的台面型式单管.其器件主要性能和指标如下:探测峰值波长为 9.2 μm,工作温度为77 K,峰值电压响应率 R_v= 9.7× 10~5V/W,峰值探测率 D~*= 6.2 × 10~(10)cmHz~(1/2)/W.
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| 关 键 词： | 红外线探测器 量子阱 波长 结构 |
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