基于SiON/Al2O3叠层介质的薄势垒型HEMT栅极相关可靠性研究 |
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引用本文: | 孙仲豪,代建勋,孙楠,王荣华,黄火林.基于SiON/Al2O3叠层介质的薄势垒型HEMT栅极相关可靠性研究[J].中国电机工程学报,2022(11):4170-4177. |
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作者姓名: | 孙仲豪 代建勋 孙楠 王荣华 黄火林 |
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作者单位: | 1. 大连理工大学光电工程与仪器科学学院;2. 大连芯冠科技有限公司 |
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基金项目: | 国家自然科学基金项目(61971090,62101093); |
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摘 要: | 氮化镓(gallium nitride,GaN)材料因其优秀的物理特性受到越来越多研究者的青睐,但常关型GaN基高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)技术发展尚处于初级阶段。文中的研究对象是薄势垒常关型HEMT,该类器件可以很大程度地降低栅极区域的刻蚀损伤,因此在未来的电力电子市场中极具潜力。文中工作中制备基于SiON/Al2O3叠层栅介质的薄势垒型HEMT器件,在叠层介质的帮助下,器件的阈值电压与肖特基栅极器件几乎一致,可以实现常关型操作。其最大关态击穿电压可以达到700V,栅极耐压超过23V,在超过1000s的正栅应力测试中阈值电压漂移量小于1V。通过对其关态击穿、栅极击穿、栅极应力测试等特性的分析,对其可靠性方面有更为深入的认识,同时进一步地展现出薄势垒HEMT器件的结构优势。
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关 键 词: | 电力电子器件 氮化镓 常关型操作 栅极可靠性 |
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