碱性阻挡层抛光液各成分对CMP的影响 |
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引用本文: | 刘桂林,刘玉岭,王辰伟,栾晓东,李若津.碱性阻挡层抛光液各成分对CMP的影响[J].微纳电子技术,2014(6):394-398. |
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作者姓名: | 刘桂林 刘玉岭 王辰伟 栾晓东 李若津 |
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作者单位: | 河北工业大学微电子研究所; |
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基金项目: | 国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308) |
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摘 要: | 为实现图形片的全局平坦化,通过研究碱性阻挡层抛光液各成分对铜和介质(TEOS)去除速率的影响,遴选出一种碱性阻挡层抛光液。在此抛光液基础上添加不同质量分数的盐酸胍,对钽光片进行抛光,选出满足要求的抛光液,并在中芯国际图形片上验证此抛光液的修正能力。实验表明,当磨料质量分数为20%、盐酸胍质量分数为0.3%、I型螯合剂(FA/O I)体积分数为1%、非表面活性剂体积分数为3%时,钽和TEOS去除速率之和是铜去除速率的3.3倍,此种碱性阻挡层抛光液对钽的去除速率为42 nm/min,各项参数均满足工业要求。与商用酸性、碱性抛光液相比,该抛光液对碟形坑和蚀坑有更好的修正能力。
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关 键 词: | 碱性阻挡层抛光液 去除速率 选择性 碟形坑 蚀坑 |
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