| FinFET工艺器件总剂量和单粒子效应研究进展 |
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| 引用本文： | 陶伟,魏轶聃,刘国柱,魏敬和.FinFET工艺器件总剂量和单粒子效应研究进展[J].中国电子科学研究院学报,2022,17(3):270-281. |
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| 作者姓名： | 陶伟 魏轶聃 刘国柱 魏敬和 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡 214072 |
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| 摘 要： |
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| 关 键 词： | FinFET 总剂量效应 单粒子效应 尺寸 浓度 |
Research Progress of Total Ionizing Dose and Single Event Effect of Devices Based on FinFET Process |
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| TAO Wei,WEI Yi-dan,LIU Guo-zhu,WEI Jing-he.Research Progress of Total Ionizing Dose and Single Event Effect of Devices Based on FinFET Process[J].Journal of China Academy of Electronics and Information Technology,2022,17(3):270-281. |
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| Authors: | TAO Wei WEI Yi-dan LIU Guo-zhu WEI Jing-he |
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