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| 4G AG-AND型闪存 | |
| 摘 要： | 4Gb的AG-AND型闪存R1FV04G13R和R1FV04G14R可提供10MBps编程速度，分别具有8位和16位配置，90nm工艺和改进的存储器单元设计使芯片面积大约缩小了三分之二，可以在单个芯片上配置512MB的记录介质。 |
| 关 键 词： | 闪存 512MB 芯片 存储器 配置 记录介质 编程速度 AG 90nm工艺 单元设计 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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