射频溅射CoCr双层膜及软磁盘的研究

本研究利用射频溅射法制备了垂直磁记录用正CoCr单层膜及NiFe/CoCr双层膜。研究了溅射压力Prf、基板温度Tsb对CoCr合金层(002)面△θ50角,矫顽力Hc⊥、Hc∥有效各向异性场HK*及正方比S⊥、S∥的影响。可以控制溅射条件使单层CoCr膜(002)面△θ50在5°以内,双层膜CoCr层△θ50在10°以内,而在较宽的范围内调整Hc⊥、Hc∥值。选择一定溅射条件制备了NiFe/CoCr双层膜软盘,并利用市售普通纵向记录的51/4英寸软盘机驱动装置及其环形磁头对该盘进行了读写实验,表明可以实现垂直方式的写入和读出。