| 用两次键合技术制备均匀单晶硅膜 |
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| 引用本文： | 何芳, 黄庆安, 秦明,.用两次键合技术制备均匀单晶硅膜[J].电子器件,2006,29(1):69-72,75. |
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| 作者姓名： | 何芳 黄庆安 秦明 |
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| 作者单位： | 东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096 |
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| 摘 要： | 硅直接键合(SDB)技术用于制备SOI片(BESOI)是键合技术的最重要应用之一,研究了制备BESOI片中的键合和减薄问题,获得了大面积的均匀单晶硅膜,通过实验分析了这种方法获得的薄膜的平整度和影响因素。并针对压力传感器的敏感膜,通过两次键合及SOI自停止腐蚀成功制备了厚度可控的均匀单晶硅薄膜,硅膜表面质量优良,平整度在±0.15μm的范围内。
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| 关 键 词： | 硅直接键合 减薄 单晶硅薄膜 MEMS器件 |
| 文章编号： | 1005-9490（2006）01-0069-04 |
| 收稿时间： | 2005-05-12 |
| 修稿时间： | 2005-05-12 |
Fabrication of Uniform Crystal Silicon Membrane Using Two-Step Silicon Direct Bonding Technology |
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| HE Fang,HUANG Qing-an,QIN Ming.Fabrication of Uniform Crystal Silicon Membrane Using Two-Step Silicon Direct Bonding Technology[J].Journal of Electron Devices,2006,29(1):69-72,75. |
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| Authors: | HE Fang HUANG Qing-an QIN Ming |
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| Affiliation: | Key Laboratory of MEMS of Ministry of Education; Southeast University; Nanjing 210096; China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon direct bonding thinning crystal silicon membrane MEMS device |
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