| CVD工艺中气体流型的研究 |
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| 引用本文： | 汪飞琴,苏小平,鲁泥藕.CVD工艺中气体流型的研究[J].功能材料,2004,35(Z1):2792-2794. |
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| 作者姓名： | 汪飞琴 苏小平 鲁泥藕 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院,北京国晶辉红外光学科技有限公司,北京,100088 |
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| 摘 要： | 化学气相沉积(CVD)法可制备高纯度、近似元件形状、大面积的块体材料,与制备薄膜的CVD过程相比,该过程存在长时间沉积稳定性、厚度均匀性及光学质量均匀性等问题.本文采用简化装置对CVD工艺过程进行物理模拟,探讨不同工艺参数下沉积室内部气体流型的变化,分析流型对沉积过程的影响.
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| 关 键 词： | 化学气相沉积 体材料 稳定性 均匀性 流型 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-2792-03 |
| 修稿时间： | 2004年4月21日 |
The study of gas flow pattern in CVD technology |
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| WANG Fei-qin,SU Xiao-ping,LU Ni-ou.The study of gas flow pattern in CVD technology[J].Journal of Functional Materials,2004,35(Z1):2792-2794. |
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| Authors: | WANG Fei-qin SU Xiao-ping LU Ni-ou |
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