| ZrO_2（Y－TZP）－Si_3N_4复合材料中抑制ZrN生成研究 |
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| 引用本文： | 饶平根,杨以文,严松浩,陈楷,樊海芳.ZrO_2（Y－TZP）－Si_3N_4复合材料中抑制ZrN生成研究[J].无机材料学报,1996(2). |
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| 作者姓名： | 饶平根 杨以文 严松浩 陈楷 樊海芳 |
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| 作者单位： | 广州华南理工大学材料所 |
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| 摘 要： | 研究了气氛加压烧成ＺｒＯ２（Ｙ－ＴＺＰ）－Ｓｉ３Ｎ４复合材料中抑制ＺｒＮ生成工艺问题，相组成分析表明：无论添加２０ｗｔ％工业ＺｒＯ２或者Ｙ－ＴＺＰ（３ｍｏｌ％Ｙ。Ｏ。）的氯化硅复合材料，在低于１８５０℃，３ＭＰａｋ气压力下烧成，表面无ＺｒＮ生成．通过加入有效的烧结助剂（Ｙ。Ｏａ＋ＡＩ。Ｏｓ）、增加埋粉中ＳＩＯ分压以及增加保护气氛氮气压力，适当的烧成条件等工艺措施可有效地抑制ＺｒＮ的生成．实验还证实了ＺｒＮ很容易氧化，含有ＺｒＮ的ＺｒＯ。（Ｙ－ＴＺＰ）－ＳｉｓＮ。复合材料试样经９００℃，０．ｓｈ热处理已粉碎性裂开．
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| 关 键 词： | 氮化硅，氧化锆，抑制，氮化锆生成，氧化 |
Eliminating Formation of ZrN in Si_3N_4/ZrO_2 (Y-TZP) Composites |
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| Rao Pinggen,Yang Yiwen, Yan Songhao, Chen Kai, Fan Haifang.Eliminating Formation of ZrN in Si_3N_4/ZrO_2 (Y-TZP) Composites[J].Journal of Inorganic Materials,1996(2). |
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| Authors: | Rao Pinggen Yang Yiwen Yan Songhao Chen Kai Fan Haifang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si_3N_4 ZrO_2 elimination ZrN formation oxidization |
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