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利用离子注入技术研制新型抗辐照太阳电池
引用本文:王兴民,王大椿.利用离子注入技术研制新型抗辐照太阳电池[J].核技术,1995,18(6):321-323.
作者姓名:王兴民  王大椿
作者单位:北京师范大学低能核物理研究所
摘    要:利用离子注入技术在电池表面层形成密集的垂直PN结,缩短光生载流子到达PN结的距离,提高PN结的收集效率,从而研制成一种新型的抗辐照太阳电池。

关 键 词:太阳能电池  抗辐照  离子注入  垂直结

Development of a new type anti-irradiation solar cell by ion implantation
Wang Xingmin,Wang Dachun.Development of a new type anti-irradiation solar cell by ion implantation[J].Nuclear Techniques,1995,18(6):321-323.
Authors:Wang Xingmin  Wang Dachun
Abstract:Presented is a method to form a crowded vertical PN.junction in the surface layer of a solar cell by ion implantation.After the processing the distance from the light-generated carrier to the PN junction is shortened and the collection efficiency of the cell is improved.A new type anti-irradiation solar cell has been developed.
Keywords:Ion implantation  Solar cell  Anti-irradiation
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