| MgO纳米线的制备及其电子发射性能的研究 |
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| 引用本文： | 王灵婕,熊飞兵,郭太良,杨尊先,叶芸.MgO纳米线的制备及其电子发射性能的研究[J].功能材料,2013,44(13):1904-1907. |
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| 作者姓名： | 王灵婕 熊飞兵 郭太良 杨尊先 叶芸 |
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| 作者单位： | 1. 厦门理工学院光电与通信工程学院,福建厦门,361024
2. 福州大学物理与信息工程学院,福建福州,350002 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，高等学校博士学科点专项科研基金资助项目，教育部工程研究中心开放课题资助项目，福建省教育厅科技资助项目 |
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| 摘 要： | 采用碳热还原-氧化法成功制备大小均匀的MgO纳米线,采用场致发射电子显微镜(FESEM)和X射线衍射(XRD)表征其形貌及晶体结构。采用丝网印刷将MgO纳米线转移到阴极电极,并将阴极电极与印刷有荧光粉的阳极电极组装成二级场致发射器件。场致电子发射测试表明MgO纳米线具有较好的电子发射特性:其阈值电场强度仅为3.82V/μm(1mA/cm2),最高电流密度达到2.68mA/cm2(4.01V/μm),发光亮度为1152cd/m2,4h内没有明显的衰减。MgO有望作为冷阴极材料在场致发射器件上得到应用。
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| 关 键 词： | 纳米材料 MgO 场致发射 |
The synthesis and electron emission properities of MgO nanowires |
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| WANG Ling-jie
,
XIONG Fei-bing
,
GUO Tai-liang
,
YANG Zun-xian
,
YE Yun.The synthesis and electron emission properities of MgO nanowires[J].Journal of Functional Materials,2013,44(13):1904-1907. |
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| Authors: | WANG Ling-jie XIONG Fei-bing GUO Tai-liang YANG Zun-xian YE Yun |
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| Affiliation: | 1.College of Opto-electric and Communication Engineering, Xiamen University of Technology,Xiamen 361024,China; 2.College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,Fuzhou 350002,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nanomaterials MgO field emission |
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