| Y2O3、Ga2O3和B2O3共掺杂对ZnO压敏电阻微观结构和电气性能的影响 |
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| 引用本文： | 程宽,赵洪峰,周远翔.Y2O3、Ga2O3和B2O3共掺杂对ZnO压敏电阻微观结构和电气性能的影响[J].高电压技术,2023(11):4707-4716. |
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| 作者姓名： | 程宽 赵洪峰 周远翔 |
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| 作者单位： | 1. 新疆大学电气工程学院电力系统及大型发电设备安全控制和仿真国家重点实验室风光储分室;2. 清华大学电机工程与应用电子技术系电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 新疆维吾尔自治区自然科学基金(2022D01C21)~~； |
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| 摘 要： | 稀土元素的掺杂能显著提高ZnO压敏电阻的电压梯度(E1mA)，但却会导致泄漏电流的增加，从而致使ZnO压敏电阻的老化稳定性降低。为了解决稀土元素掺杂导致泄漏电流增加的问题，研究了Y2O3、Ga2O3和B2O3共掺杂对ZnO压敏电阻微观结构和电气性能的影响。掺杂的Y2O3通过钉扎效应能够显著抑制ZnO晶粒的生长提高样品的E1mA。Ga2O3的掺杂则有助于提高晶界层的势垒高度(φb)、抑制泄漏电流密度(JL)的增加。而B2O3的掺杂则有助于改善样品的液相烧结，避免具有高电阻率Y尖晶石相聚集现象的发生，传输通道的阻断有利于降低样品的JL。此外，B2O3的掺杂能够促进ZnO晶粒与其他...
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| 关 键 词： | 金属氧化物避雷器 ZnO压敏电阻 电压梯度 泄漏电流密度 非线性系数 |
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