| 200nm栅长In0.52Al0.48As／In0.6Ga0.4As MHEMTs器件 |
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| 引用本文： | 黎明,张海英,徐静波,付晓君.200nm栅长In0.52Al0.48As／In0.6Ga0.4As MHEMTs器件[J].半导体学报,2008,29(9):1679-1681. |
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| 作者姓名： | 黎明 张海英 徐静波 付晓君 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划G2002CB311901 |
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| 摘 要： | 利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基InAIAs/InGaAs MHEMT器件.Ti/Pt/Au蒸发作为栅极金属.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻,采用3层胶工艺,实现了T 型栅. GaAs基MHEMT 器件获得了优越的直流和高频性能,跨导、饱和漏电流密度、域值电压、电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到510mS/mm, 605mA/mm, -1.8V, 110GHz及 72GHz，为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础.
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| 关 键 词： | MHEMT InAIAs/InGaAs 电子束光刻 T型栅 |
| 收稿时间： | 4/8/2008 11:39:41 AM |
| 修稿时间： | 5/8/2008 1:27:45 PM |
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