| 原位自生SiC纳米线掺杂SiOC陶瓷粉体的制备与介电性能 |
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| 引用本文： | 叶昉,段文艳,莫然,殷小玮,张立同,成来飞.原位自生SiC纳米线掺杂SiOC陶瓷粉体的制备与介电性能[J].稀有金属材料与工程,2019,48(1):39-43. |
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| 作者姓名： | 叶昉 段文艳 莫然 殷小玮 张立同 成来飞 |
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| 作者单位： | 西北工业大学超高温结构复合材料重点实验室,西北工业大学,西北工业大学,西北工业大学,西北工业大学,西北工业大学 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（51602258, 51432008, 51502242, 51725205, 51332004）, 陕西省自然科学基础研究计划(No. 2017JM5094) |
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| 摘 要： | 以二茂铁为催化剂,催化裂解陶瓷聚合物先驱体制备了原位自生SiC纳米线掺杂的SiOC陶瓷粉体。SiC纳米线为堆垛方向为<111>的β相单晶体,直径为10-100nm,长度可达数微米,均匀分布在SiOC粉体中。基于SiC纳米线微观结构分析,探讨了纳米线的生长机制。研究了复合陶瓷粉体的介电性能,结果发现,SiC纳米线含量可调控复合粉体的电性能,较高含量纳米线可赋予复合粉体较高的介电实部与虚部。
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| 关 键 词： | SiOC陶瓷 原位自生SiC纳米线 生长机制 介电性能 |
| 收稿时间： | 2018/7/24 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2018/9/27 0:00:00 |
Silicon oxycarbide Powders doped with in situ grown SiC Nanowires: Synthesis and dielectric property |
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| Fang Ye,Wenyan Duan,Ran Mo,Xiaowei Yin,Litong Zhang and Laifei Cheng.Silicon oxycarbide Powders doped with in situ grown SiC Nanowires: Synthesis and dielectric property[J].Rare Metal Materials and Engineering,2019,48(1):39-43. |
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| Authors: | Fang Ye Wenyan Duan Ran Mo Xiaowei Yin Litong Zhang and Laifei Cheng |
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| Affiliation: | Science and Technology on Thermostructural Composite Materials Laboratory,Northwestern Polytechnical University,Northwestern Polytechnical University,Northwestern Polytechnical University,Northwestern Polytechnical University,Northwestern Polytechnical University,Northwestern Polytechnical University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Silicon oxycarbide In situ grown SiC nanowires Growth mechanism Dielectric properties |
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