| ZnO单晶薄膜光电响应特性 |
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| 引用本文： | 李瑛,冯士维,杨集,张跃宗,谢雪松,吕长志,卢毅成.ZnO单晶薄膜光电响应特性[J].半导体学报,2006,27(1):96-99. |
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| 作者姓名： | 李瑛 冯士维 杨集 张跃宗 谢雪松 吕长志 卢毅成 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京 100022;北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京 100022;北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京 100022;北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京 100022;北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京 100022;北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京 100022;Department of Computer and Electrical Engineering,Rutgers University,Piscataway,NJ 08854,USA |
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| 基金项目： | 北京市优秀人才培养基金 |
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| 摘 要： | 对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究,并对比研究了射频溅射沉积SiO2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响.实验结果表明,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO形成了良好的欧姆接触,溅射沉积SiO2在ZnO表面引入了载流子陷阱,影响I-V特性,延长了光响应下降时间.ZnO单晶薄膜光电导也具有时间退化现象.
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| 关 键 词： | 单晶ZnO MOCVD 光电响应 AR膜 RF溅射损伤 单晶薄膜 光电响应特性 Film Single Crystal 退化现象 下降时间 光电导 光响应 延长 载流子陷阱 表面 射频溅射沉积 欧姆接触 体系 金属 非合金 结果 实验 影响 抗反射膜 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)01-0096-04 |
| 收稿时间： | 04 25 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 09 20 2005 12:00AM |
Photoresponse of ZnO Single Crystal Film |
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| Li Ying,Feng Shiwei,Yang Ji,Zhang Yuezong,Xie Xuesong,Lu Yicheng.Photoresponse of ZnO Single Crystal Film[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(1):96-99. |
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| Authors: | Li Ying Feng Shiwei Yang Ji Zhang Yuezong Xie Xuesong Lu Yicheng |
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| Affiliation: | School of Electronic Information & Control Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China;School of Electronic Information & Control Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China;School of Electronic Information & Control Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China;School of Electronic Information & Control Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China;School of Electronic Information & Control Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China;School of Electronic Information & Control Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China;Department of Computer and Electrical Engineering,Rutgers University,Piscataway,NJ 08854,USA |
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| Abstract: | The Ohmic contact and photoresponse of a ZnO single crystal film produced by MOCVD are investigated.The electrical and photoresponsive changes in the ZnO film due to the RF sputter deposition of SiO2 (antireflective coating) are also discussed.A nonalloyed Al/Au metallization scheme forms a good Ohmic contact on the n-type ZnO.RF sputter deposition of SiO2 induces defects which behave as carrier traps and prolongs response time.The photoresponse of the ZnO epitaxial film deteriorates with time. |
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| Keywords: | ZnO single crystal film MOCVD photoresponse AR coating RF sputter damage |
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