| 利用加速器质谱学中的入射离子X射线方法测定79Se的半衰期 |
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| 引用本文： | 何明,蒋崧生,姜山,武绍勇,刁立军.利用加速器质谱学中的入射离子X射线方法测定79Se的半衰期[J].核技术,2004,27(1):22-26. |
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| 作者姓名： | 何明 蒋崧生 姜山 武绍勇 刁立军 |
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| 作者单位： | 中国原子能科学研究院,北京,102413;中国原子能科学研究院,北京,102413;中国原子能科学研究院,北京,102413;中国原子能科学研究院,北京,102413;中国原子能科学研究院,北京,102413 |
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| 摘 要： | 利用加速器质谱学中的入射离子X射线方法(PX-AMS)对79Se的半衰期进行了测定.用这一直接测量79Se原子数的方法得到新的79Se半衰期为(2.80±0.36)×105a.利用同样的方法也测定了75Se的半衰期,75Se半衰期的测定结果显示利用PX-AMS方法对79Se半衰期的测定结果是可靠的.
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| 关 键 词： | 79Se 半衰期 PX-AMS |
Half-life measurement of 79Se with projectile X-ray method in AMS |
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| HE Ming JIANG Songsheng JIANG Shan WU Shaoyong DIAO Lijun.Half-life measurement of 79Se with projectile X-ray method in AMS[J].Nuclear Techniques,2004,27(1):22-26. |
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| Authors: | HE Ming JIANG Songsheng JIANG Shan WU Shaoyong DIAO Lijun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 79Se Half-life PX-AMS |
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