0.4-3.0Mev质子激发Al和Si薄靶的k-x射线研究 |
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引用本文: | 蔡晓红
,马树勋
,柳纪虎
,刘兆远
,董发运
,刘绍湘
,冯嘉祯
,张之津.0.4-3.0Mev质子激发Al和Si薄靶的k-x射线研究[J].兰州大学学报(自然科学版),1988(3). |
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作者姓名: | 蔡晓红 马树勋 柳纪虎 刘兆远 董发运 刘绍湘 冯嘉祯 张之津 |
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摘 要: | 我们研究了能量在0.4—3.0Mev 范围的质子轰击 Al 和 Si 薄靶产生的 k 壳层 X 射线,得到了 k 壳层 X 射线产生截面以及相应的电离截面,并与 PWBA 及 ECPSSR 的预言值作了比较.
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