首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

0.4-3.0Mev质子激发Al和Si薄靶的k-x射线研究
引用本文:蔡晓红 ,马树勋 ,柳纪虎 ,刘兆远 ,董发运 ,刘绍湘 ,冯嘉祯 ,张之津.0.4-3.0Mev质子激发Al和Si薄靶的k-x射线研究[J].兰州大学学报(自然科学版),1988(3).
作者姓名:蔡晓红  马树勋  柳纪虎  刘兆远  董发运  刘绍湘  冯嘉祯  张之津
摘    要:我们研究了能量在0.4—3.0Mev 范围的质子轰击 Al 和 Si 薄靶产生的 k 壳层 X 射线,得到了 k 壳层 X 射线产生截面以及相应的电离截面,并与 PWBA 及 ECPSSR 的预言值作了比较.

本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号