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硅基非致冷热释电红外焦平面阵列技术的新进展
引用本文:
程开富.硅基非致冷热释电红外焦平面阵列技术的新进展[J].四川真空,1999(2):31-35.
作者姓名:
程开富
摘 要:
文章主要介绍硅基非致热释电红外焦平面阵列典型结构,制备工艺以及最新进展。
关 键 词:
红外探测器
红外焦平面阵列
热释电器件
PIRD
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