| 缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响 |
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| 引用本文： | 陈俊,张书明,张宝顺,朱建军,冯淦,段俐宏,王玉田,杨辉,郑文琛.缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响[J].中国科学(E辑),2004,34(1):58-63. |
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| 作者姓名： | 陈俊 张书明 张宝顺 朱建军 冯淦 段俐宏 王玉田 杨辉 郑文琛 |
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| 作者单位： | 1. 四川大学材料科学系,成都,610064;中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083
2. 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083
3. 四川大学材料科学系,成都,610064 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:69825107)，国家杰出青年基金(批准号:5001161953)，NSFC-RGC联合基金(批准号:5001161953,N-HKU028/00)资助项目 |
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| 摘 要： | 利用自制的在位监测系统, 研究了用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长GaN时, GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律. 在位监测曲线及扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明, 缓冲层生长压力越大, GaN缓冲层退火后成核中心体积越小, 表面粗糙度越大, 高温生长GaN岛间合并延迟. X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)测量结果表明, GaN缓冲层生长压力增大时外延的GaN结晶质量得到改善.
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| 关 键 词： | MOCVD 在位监测 GaN |
| 收稿时间： | 2003-01-24 |
| 修稿时间： | 2003-06-27 |
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