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计算机自动测试硅雪崩二极管
引用本文:王德宁,陈瑞璋,陈莲勇,陈启玙,何梁昌.计算机自动测试硅雪崩二极管[J].半导体技术,1983(2).
作者姓名:王德宁  陈瑞璋  陈莲勇  陈启玙  何梁昌
作者单位:科学院上海冶金研究所 (王德宁,陈瑞璋,陈莲勇,陈启玙),科学院上海冶金研究所(何梁昌)
摘    要:本文根据Si-APD二极管的测试要求,设计了暗电流、光电流的采样程序,倍增M、响应度S、量子效率η等计算程序,并设计了专用程序:对数程序、数据处理程序和绘图程序。能满意地测定并绘制反向偏压V~暗电流I_D、反向偏压V~光电流I_(pi)和反向偏压V~倍增M曲线。并对一系列有用参数打成表以备查用。最后对程序设计的参数合理性,数据处理的可靠性作了讨论。

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