| Sn掺杂量对Sn-Mg共掺杂ZnO薄膜光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 王玉新,王磊,刘佳慧,褚浩博,蔺冬雪,丛彩馨.Sn掺杂量对Sn-Mg共掺杂ZnO薄膜光电性能的影响[J].辽宁师范大学学报(自然科学版),2020,43(3):327-332. |
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| 作者姓名： | 王玉新 王磊 刘佳慧 褚浩博 蔺冬雪 丛彩馨 |
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| 作者单位： | 辽宁师范大学物理与电子技术学院,辽宁大连 116029 |
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| 基金项目： | 辽宁省教育厅科学研究基础项目 |
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| 摘 要： | 采用超声喷雾热解法在石英衬底上制备了Sn-Mg共掺的ZnO纳米薄膜.借助X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM),光致发光谱(PL谱),紫外-可见分光光度计(UV-Vis)和伏安特性曲线(I-V)等测试手段研究了Sn掺杂量的改变对薄膜的结构、形貌和光电性能的影响.结果表明,适量的Sn掺杂可以提高薄膜的表面形貌和光电性能.随着Sn掺杂量的增加,薄膜的(101)衍射峰强度、紫外发光峰、透过率和导电率都是先增加后减小,带隙能量值从3.350eV增加到3.651eV,并且平均透过率均在80%～87%之间.当Sn掺杂量为0.004时,薄膜结晶质量最好,表面最致密,晶粒大小最均匀,紫外发光峰强度最大,导电率最高.
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 超声喷雾热解法 Sn-Mg共掺 晶体结构 表面形貌 光电性能 |
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