综合吸除对硅外延片(N/N^+)性能的影响 |
| |
引用本文: | 曹国琛,胡才雄.综合吸除对硅外延片(N/N^+)性能的影响[J].上海有色金属,1994,15(6):321-325. |
| |
作者姓名: | 曹国琛 胡才雄 |
| |
作者单位: | 上海有色金属研究所 |
| |
摘 要: | 本文介绍了使用扫描电镜(SEM)、扩展电阻(SR)、瞬态电容(c-t)和化学腐蚀等技术,对采用不同吸除工艺的重掺Sb衬底的硅外延片(N/N+)性能进行了研究。结果表明,综合吸除技术不仅能有效地改善W/N+硅外延片的电性能(τg)和明显地降低外延层上的表面缺陷密度,而且对硅片剖面的电阻率分布也无影响。文中还对综合吸除的机理作了初步探讨。
|
关 键 词: | 吸除 硅 外延片 电性能 电阻率 半导体 |
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录! |
|