结构改进的高压VDMOS功率晶体管 |
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引用本文: | 孔德,平,王锡祺.结构改进的高压VDMOS功率晶体管[J].半导体技术,1991(4):22-24. |
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作者姓名: | 孔德 平 王锡祺 |
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作者单位: | 东南大学电子系,东南大学电子系,宜兴市半导体厂,宜兴市半导体厂 210028 南京,210028 南京,214204,214204 |
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摘 要: | 本文给出高压VDMOS功率晶体管的一种新颖结构,可以明显地减小器件的导通电阻和保持较高的开关速度。
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关 键 词: | 功率晶体管 晶体管 VOMOS |
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