| 激光弯曲过程对薄硅片伏安特性的影响 |
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| 引用本文： | 刘双,吴东江,张强,王续跃,郭东明.激光弯曲过程对薄硅片伏安特性的影响[J].应用激光,2009,29(1). |
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| 作者姓名： | 刘双 吴东江 张强 王续跃 郭东明 |
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| 作者单位： | 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁,大连,116024 |
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| 基金项目： | 高等学校博士学科点专项科研基金 |
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| 摘 要： | 对不同加工参数下脉冲激光弯曲后的薄片硅材料的伏安特性进行了分析.通过对样品电流(I)-电压(V)特性的测量,研究了脉冲频率、扫描次数和扫描路径对薄硅片电学性质的影响.结果表明,在一定的加工参数范围内,通过降低脉冲频率,减少扫描次数,优化扫描路径都有利于降低弯曲硅片的电阻率.
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| 关 键 词： | 薄硅片 激光弯曲 伏安特性 |
Influence of Laser Bending on Voltage-current Characteristic of Thin Silicon Sheet |
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| Liu Shuang,Wu Dongjiang,Zhang Qiang,Wang Xuyue,Guo Dongming.Influence of Laser Bending on Voltage-current Characteristic of Thin Silicon Sheet[J].Applied Laser,2009,29(1). |
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| Authors: | Liu Shuang Wu Dongjiang Zhang Qiang Wang Xuyue Guo Dongming |
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