| 基于图形化蓝宝石衬底的HB-LED研究进展 |
| |
| 引用本文： | 黄成强,陈波,李超波,夏洋,汪明刚,饶志鹏.基于图形化蓝宝石衬底的HB-LED研究进展[J].激光与光电子学进展,2012(7):51-58. |
| |
| 作者姓名： | 黄成强 陈波 李超波 夏洋 汪明刚 饶志鹏 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 |
| |
| 摘 要： | 为了制作高亮度LED,需要在图形化蓝宝石衬底上生长GaN材料。通过光刻在平坦蓝宝石衬底上制作掩膜图形,通过刻蚀将图形转移到蓝宝石衬底,得到图形化蓝宝石衬底。在图形化蓝宝石衬底上进行GaN的侧向外延生长,并做后续处理,就制成了基于图形化蓝宝石衬底的高亮度LED。图形化蓝宝石衬底上GaN的侧向外延生长使得外延材料的位错密度从1010 cm-2降低到107 cm-2,这减少了发生非辐射复合的载流子,多量子阱发射更多的光子,LED的内量子效率提高。此外,图形化蓝宝石衬底能够有效散射从多量子阱射出的光线,使得出射光射到逃离区的几率更大,从而提高光萃取率。内量子效率和光萃取率的提高大大改善了LED的光电特性。
|
| 关 键 词： | 光学器件 HB-LED 外延 光电特性 |
Research Progress of HB-LED Based on Patterned Sapphire Substrate |
| |
| Huang Chengqiang,Chen Bo,Li Chaobo,Xia Yang,Wang Minggang,Rao Zhipeng.Research Progress of HB-LED Based on Patterned Sapphire Substrate[J].Laser & Optoelectronics Progress,2012(7):51-58. |
| |
| Authors: | Huang Chengqiang Chen Bo Li Chaobo Xia Yang Wang Minggang Rao Zhipeng |
| |
| Affiliation: | 1Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China 2Jiaxing Engineering Center for Microelectronic Apparatus and Equipment,Chinese Academy of Sciences,Jiaxing,Zhejiang 314006,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
