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半导体器件扫描电镜低电压成像技术应用
引用本文:梁栋程,周庆波,王淑杰,王晓敏.半导体器件扫描电镜低电压成像技术应用[J].太赫兹科学与电子信息学报,2013,11(3):489-493.
作者姓名:梁栋程  周庆波  王淑杰  王晓敏
作者单位:中国工程物理研究院 计量测试中心,四川 绵阳,621999
摘    要:针对使用扫描电镜(SEM)进行半导体器件破坏性物理分析(DPA)和失效分析(FA)时,芯片表面不作喷镀处理的问题,提出了减小或消除电荷累积的试验方法。试验结果表明,正确应用SEM低电压技术,选择加速电压1.0 kV~2.0 kV、电子束斑2.0,结合积分技术,可在芯片表面不作喷镀处理,并满足国军标要求下,得到分辨率和性噪比均很好的图片。

关 键 词:半导体器件  SEM  低加速电压  积分技术  消除电荷累积  破坏性物理分析  失效分析
收稿时间:2012/11/15 0:00:00
修稿时间:2012/12/21 0:00:00

Application of SEM low voltage imaging technology for semiconductor devices
LIANG Dong-cheng,ZHOU Qing-bo,WANG Shu-jie and WANG Xiao-min.Application of SEM low voltage imaging technology for semiconductor devices[J].Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology,2013,11(3):489-493.
Authors:LIANG Dong-cheng  ZHOU Qing-bo  WANG Shu-jie and WANG Xiao-min
Affiliation:(Metrology and Testing Center,China Academy of Engineering Physics,Mianyang Sichuan 621999,China)
Abstract:
Keywords:semiconductor devices  Scanning Electron Microscope low accelerating voltage  integration technology  eliminating charge accumulation  Destructive Physical Analysis  Failure Analysis
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