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| 4K MOS动态随机存储器 | |
| 引用本文： | Robert A ,徐正春.4K MOS动态随机存储器[J].计算机研究与发展,1974(4). |
| 作者姓名： | Robert A 徐正春 |
| 摘 要： | 本文提出了一种4K 动态MOS 随机存储器(RAM)的方案,该方案采用每位三管的单元,其面积小于2密耳~2/位,采用n 沟道硅栅MOS 工艺。芯片只需要一个时钟脉冲,并且内部产生所需的多相时钟脉冲。所有的输入和输出与高电平的时钟脉冲不同,其电平与TTL 相配。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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