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| 精馏塔管道气密性及其与超纯AsCl3质量的关系 | |
| 引用本文： | 黎宝良.精馏塔管道气密性及其与超纯AsCl3质量的关系[J].稀有金属,1989,13(5):408-410. |
| 作者姓名： | 黎宝良 |
| 作者单位： | 北京有色金属研究总院 (黎宝良，杨英(山乃)，刘成林，徐菊香)，北京有色金属研究总院(李德俊) |
| 摘 要： | 本文介绍了 AsCl_3精馏装置的改进,通过管道接口及截门的一些改进,使 AsCl_3的产品质量获得提高。经本法制备的 AsCl_3用于制备高纯 GaAs 气相外延片,其电学参数达到国际先进水平。GaAs 的μ_(77K)=2.05×10~5cm~2/V·s,峰值电子迁移率μ=3.78×10~5cm~2/V·s。 |
| 关 键 词： | AsCI3 制备 精馏塔 管道 气密性 |
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