| InGaN/GaN多量子阱的变温发光特性研究 |
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| 引用本文： | 孔令民,李鼎,张野芳,宿刚,薛江蓉,姚建明,吴正云.InGaN/GaN多量子阱的变温发光特性研究[J].半导体光电,2008,29(6):909-912. |
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| 作者姓名： | 孔令民 李鼎 张野芳 宿刚 薛江蓉 姚建明 吴正云 |
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| 作者单位： | 浙江海洋学院,物理系,浙江,舟山,316000;浙江海洋学院,数学系,浙江,舟山,316000;厦门大学,物理系,福建,厦门361005 |
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| 基金项目： | 浙江省舟山市科技项目，浙江海洋学院校科研和教改项目，浙江海洋学院中青年教师资助项目 |
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| 摘 要： | 采用低压金属有机化学沉积方法制备了InGaN/GaN多量子阱.变温PL测量发现,量子阱发光强度具有良好的温度稳定性,随着温度升高(10～300K),发光强度只减小到1/3左右.分析认为,InGaN/GaN多量子阱的多峰发光结构是由多量子阱的组分及阱宽的不均匀引起的.随着温度升高,GaN带边及量子阱的光致发光均向低能方向移动,但与GaN带边不同,量子阱发光峰值变化并不与通过内插法得到的Varshni经验公式相吻合,而是与InN带边红移趋势一致,分析了导致这种现象的可能因素.还分析了量子阱发光寿命随温度升高而减小的原因.
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| 关 键 词： | InGaN/GaN多量子阱 光致发光 时间分辨谱 |
Temperature Dependent Optical Characteristics of InGaN/GaN Multiple Quantum Well |
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| KONG Ling-min,LI Ding,ZHANG Ye-fang,SU Gang,XUE Jiang-rong,YAO Jian-ming,WU Zheng-yun.Temperature Dependent Optical Characteristics of InGaN/GaN Multiple Quantum Well[J].Semiconductor Optoelectronics,2008,29(6):909-912. |
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| Authors: | KONG Ling-min LI Ding ZHANG Ye-fang SU Gang XUE Jiang-rong YAO Jian-ming WU Zheng-yun |
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