|
|||||
|
|
| 1．52μmInGaAsP／InP分别限制量子阱激光器 | |
| 引用本文： | 陈松岩,李玉东,刘式墉,张玉贤.1．52μmInGaAsP／InP分别限制量子阱激光器[J].高技术通讯,1995(10). |
| 作者姓名： | 陈松岩 李玉东 刘式墉 张玉贤 |
| 作者单位： | 集成电子学国家重点实验室吉林大学实验区 |
| 摘 要： | 报导了在６００℃生长温度下以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机气相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术生长出的高质量１．６０μｍ和１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ材料，以及在其分别限制量子讲结构生长的情况下，用质子轰击方法制得的条形结构量子阱激光器。该激光器在室温下直流阈值电流为１００ｍＡ。 |
| 关 键 词： | 分别限制量子阱激光器，低压金属有机气相外延，阈值电流 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
