| 一种抗辐射加固RS485驱动器的设计 |
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| 引用本文： | 高兴国,黄晓宗.一种抗辐射加固RS485驱动器的设计[J].太赫兹科学与电子信息学报,2017,15(3):496-499. |
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| 作者姓名： | 高兴国 黄晓宗 |
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| 作者单位： | No.24th Institute，China Electronics Technology Group Corporation，Chongqing 400060，China and 1.No.24th Institute，China Electronics Technology Group Corporation，Chongqing 400060，China；2.School of Microelectronics and Solid-State Electronics，University of Electronic Science and Technology of China，Chengdu Sichuan 610054，China |
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| 摘 要： | RS485通信协议要求：RS485驱动器输出短路至-7~12 V时，短路电流应小于250 mA。常规短路保护电路采用高压MOS实现，由于高压MOS栅极氧化层厚度很大，无法满足抗总剂量辐射加固的要求。提出了一种新型的驱动器输出短路保护电路，该电路利用5 V低压MOS管实现，通过合理设计线路、版图，实现了良好的短路保护效果和抗总剂量辐射能力。电路采用0.8 μm SOI CMOS工艺设计实现，常规及辐照测试结果证明了设计的正确性。
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| 关 键 词： | RS485驱动器 总剂量辐射效应 抗辐射加固 |
| 收稿时间： | 2015/8/21 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2016/1/24 0:00:00 |
Design of a radiation hardened RS485 driver |
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| GAO Xingguo and HUANG Xiaozong.Design of a radiation hardened RS485 driver[J].Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology,2017,15(3):496-499. |
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| Authors: | GAO Xingguo and HUANG Xiaozong |
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