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采用数字CMOS工艺实现的1.2-V, 84-dB Σ? ADM设计
引用本文:殷树娟,李翔宇.采用数字CMOS工艺实现的1.2-V, 84-dB Σ? ADM设计[J].半导体学报,2013,34(8):085003-4.
作者姓名:殷树娟  李翔宇
摘    要:由于采用一种全补偿耗尽电容,本文实现了一种基于数字工艺实现的低压低功耗∑?模数调制器。与混合信号工艺相比,该电路所以更适合于纯数字应用。采用新型伪两级Class-AB型运算放大器实现低压低功耗设计目标。在SMIC 0.18μm 1P6M 数字CMOS工艺下,芯片测试结果表明:1.2V电源电压6MHz采样频率时,调制器的动态范围为84dB,总电路功耗为2460μW。

关 键 词:数字CMOS工艺  低功耗    低压    Σ?    模数调制器
收稿时间:2012/12/25 0:00:00
修稿时间:2/1/2013 12:00:00 AM
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