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| MOSFET—C连续时间滤波器原理与进展(三) | |
| 引用本文： | 魏志源.MOSFET—C连续时间滤波器原理与进展(三)[J].电气电子教学学报,1994(1). |
| 作者姓名： | 魏志源 |
| 作者单位： | 解放军电子工程学院 |
| 摘 要： | 10 三种单片连续时间滤波器设计实例10.1 话音频率五阶椭圆滤波器利用上文详述的各项技术,以3.5μmCMOS工艺制成带有在片自动调谐的MOS-FET一C有源滤波器.滤波器电路结构示于图Ⅱ(输入非平衡转平衡结构电路省略未绘出).未启动自动调谐时曾发现3—dB频率在温差85℃范围内变化超过10%.接入在片调谐后,频响示于图12.在同样温差范围内,此频响稳定性高于0.1%.图13是影响通带部分的放大图形.以±5V电源工作时失真达0.1%的差动峰—峰值为5V,信号增大到峰—峰值15V时.失真为1%.测得的动态范围为100dB.自动调谐采用上文图1(c)方案. |
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